Velikanski elektro-optični učinek v Ge/SiGe sklopljenih kvantnih jamicah

Fotonika na osnovi silicija trenutno velja za naslednjo generacijo fotonske platforme za vgrajene komunikacije.Vendar razvoj kompaktnih optičnih modulatorjev z majhno močjo ostaja izziv.Tukaj poročamo o velikanskem elektrooptičnem učinku v sklopljenih kvantnih vrtinah Ge/SiGe.Ta obetavni učinek temelji na nenormalnem kvantnem Starkovem učinku zaradi ločene omejitve elektronov in lukenj v sklopljenih kvantnih vrtinah Ge/SiGe.Ta pojav je mogoče uporabiti za znatno izboljšanje delovanja svetlobnih modulatorjev v primerjavi s standardnimi pristopi, ki so bili doslej razviti v silicijevi fotoniki.Izmerili smo spremembe lomnega količnika do 2,3 × 10-3 pri prednapetosti 1,5 V z ustrezno modulacijsko učinkovitostjo VπLπ 0,046 Vcm.Ta predstavitev utira pot razvoju učinkovitih faznih modulatorjev visoke hitrosti, ki temeljijo na sistemih materialov Ge/SiGe.